數據列表 | IRF3709(S,L) |
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產品相片 | TO-263 |
標準包裝 | 50 |
類別 | 分立半導體產品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | HEXFET® |
包裝 | 管件 |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 90A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 9 毫歐 @ 15A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 41nC @ 5V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 2672pF @ 16V |
功率 - 最大值 | 3.1W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB |
供應商器件封裝 | D2PAK |
其它名稱 | *IRF3709S |