型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRF3415SPBF | International Rectifier | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,150V V(BR)DSS,43A I(D),TO-263AB | 21 1起订 | 1+ 4+ 11+ | ¥183.78 ¥134.77 ¥122.52 | 1-3周 | 购买 |
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IRF3415SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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IRF3415SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 133.3nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRF3415SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRF3415SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK (Alt: IRF3415SPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
IRF3415SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Rail/Tube (Alt: IRF3415SPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRF3415SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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IRF3415SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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IRF3415SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
IRF3415SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3415SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N, 150V, 43A, D2-PAK
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IRF3415SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 150 V 42 mOhm 200 nC HEXFET? Power Mosfet - D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3415SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 150V, RDS(ON) 0.042Ohm, ID 43A, D2Pak, PD 200W, VGS +/-20V RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3415SPBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: D2PAK Polarity: N Power dissipation: 200 W
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3415SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 150V, 43A, 3.8W, D2PAK, HEXFET?
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3415SPBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Transistor, N-Channel, TO-263AB
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IRF3415SPBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Transistor, N-Channel, TO-263AB
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數(shù)據(jù)列表 | IRF3415S(LPbF) |
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產(chǎn)品相片 | TO-263 |
產(chǎn)品培訓模塊 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
標準包裝 | 50 |
類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | HEXFET® |
包裝 | 管件 |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 標準 |
漏源極電壓 (Vdss) | 150V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 43A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 42 毫歐 @ 22A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 200nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 2400pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 3.8W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB |
供應商器件封裝 | D2PAK |
其它名稱 | *IRF3415SPBF |