型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3205LPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 55V 110A TO-262 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3205LPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3205LPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3205LPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 (Alt: IRF3205LPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
IRF3205LPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 - Rail/Tube (Alt: IRF3205LPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3205LPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
| 搜索 |
IRF3205LPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
| 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3205LPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3205LPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N-CH, 55V, 110A, TO-262-3
| 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF3205LPBF [更多] | Infineon Technologies AG | IRF3205LPBF N-channel MOSFET Transistor, 110 A, 55 V, 3-Pin TO-262 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
查看库存、价格及货期 |
數(shù)據(jù)列表 | IRF3205(S,L)PbF |
---|---|
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
標準包裝 | 50 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | HEXFET® |
包裝 | 管件 |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 標準 |
漏源極電壓 (Vdss) | 55V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 110A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 8 毫歐 @ 62A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 146nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 3247pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 200W |
安裝類型 | 通孔 |
封裝/外殼 | TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA |
供應(yīng)商器件封裝 | TO-262 |
產(chǎn)品目錄頁面 | 1519 (CN2011-ZH PDF) |
其它名稱 | *IRF3205LPBF |