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IRF2903ZSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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IRF2903ZSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.4mOhms 160nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRF2903ZSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFETs RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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IRF2903ZSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N D2-PAK
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IRF2903ZSPBF [更多] | International Rectifier |
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IRF2903ZSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 30V, 260A, 290W, D2PAK, HEXFET?
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型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
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典型關(guān)斷延遲時(shí)間 | 48 ns | |
典型接通延遲時(shí)間 | 24 ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 160 nC V @ 10 | |
典型輸入電容值@Vds | 6320 pF V @ 25 | |
安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 9.65mm | |
封裝類(lèi)型 | D2PAK,DPAK | |
尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm | |
引腳數(shù)目 | 3 | |
最低工作溫度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 231000 mW | |
最大柵源電壓 | ±20 V | |
最大漏源電壓 | 30 V | |
最大漏源電阻值 | 0.002 Ω | |
最大連續(xù)漏極電流 | 235 A | |
最高工作溫度 | +175 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 | |
類(lèi)別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強(qiáng) | |
通道類(lèi)型 | N | |
配置 | 單 | |
長(zhǎng)度 | 10.67mm | |
高度 | 4.83mm |