IRF2807STRLPBF,IRF2807STRLPBF|International Rectifier代理分銷-IRF2807STRLPBF原裝現(xiàn)貨,PDF下載
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 82A（Tc） 230W（Tc） D2PAK 型号：IRF2807STRLPBF 仓库库存编号：IRF2807STRLPBFCT-ND 别名：IRF2807STRLPBFCT | 无铅 | 搜索 |
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | IRF2807(S,L)PbF |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | TO-263 |
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 設(shè)計(jì)資源 | IRF2807L Saber Model IRF2807L Spice Model |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 800 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 75V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)） | 82A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值） | 13 毫歐 @ 43A，10V |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 160nC @ 10V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 3820pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 230W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應(yīng)商器件封裝 | D2PAK |
| 產(chǎn)品目錄頁面 | 1521 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱 | IRF2807STRLPBF-ND IRF2807STRLPBFTR |
