數(shù)據(jù)列表 | IRF1503PbF |
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產品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
產品培訓模塊 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
標準包裝 | 50 |
類別 | 分立半導體產品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | HEXFET® |
包裝 | 管件 |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 75A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 3.3 毫歐 @ 140A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 200nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 5730pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 330W |
安裝類型 | 通孔 |
封裝/外殼 | TO-220-3 |
供應商器件封裝 | TO-220AB |
其它名稱 | *IRF1503PBF |