IPS118N10N G,IPS118N10N G|Infineon Technologies代理分銷-IPS118N10NG原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | IPS118N10N G |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | DPAK_369D?01 |
| 產(chǎn)品變化通告 | Product Discontinuation 26/Jul/2012 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1,500 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包裝 | 管件 |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 100V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 75A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 11.8 毫歐 @ 75A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 83µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 65nC @ 10V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 4320pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 125W |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 封裝/外殼 | TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA |
| 供應(yīng)商器件封裝 | PG-TO251-3 |
| 其它名稱 | SP000475890 SP000680974 |
