數(shù)據(jù)列表 | IPD,IPS05N03LB G |
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產品相片 | DPAK_369D?01 |
產品變化通告 | Product Discontinuation 04/Jun/2009 |
標準包裝 | 1,500 |
類別 | 分立半導體產品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | OptiMOS™ |
包裝 | 管件 |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 90A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 5 毫歐 @ 60A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 40µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 25nC @ 5V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 3200pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 94W |
安裝類型 | 通孔 |
封裝/外殼 | TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA |
供應商器件封裝 | PG-TO251-3 |
其它名稱 | IPS05N03LBGX SP000220140 |