IPP16CNE8N G,IPP16CNE8N G|Infineon Technologies代理分銷-IPP16CNE8NG原裝現(xiàn)貨,PDF下載
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| 查看库存、价格及货期 | |||||||
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | IPx16CNE8N G |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | TO-220-3 |
| 產(chǎn)品變化通告 | Product Discontinuation 11/Dec/2009 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 500 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包裝 | 管件 |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 85V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)） | 53A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值） | 16.5 毫歐 @ 53A，10V |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 61µA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 48nC @ 10V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 3230pF @ 40V |
| 功率 - 最大值 | 100W |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 封裝/外殼 | TO-220-3 |
| 供應(yīng)商器件封裝 | PG-TO220-3 |
| 其它名稱 | IPP16CNE8NGX IPP16CNE8NGXK SP000096470 |
