IPP12CNE8N G,IPP12CNE8N G|Infineon Technologies代理分銷-IPP12CNE8NG原裝現(xiàn)貨,PDF下載
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| IPP12CNE8N G [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 85V 67A TO220-3 RoHS: Compliant | 搜索 |
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 85V 67A TO-220 详细描述：通孔 N 沟道 85V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO-220-3 型号：IPP12CNE8N G 仓库库存编号：IPP12CNE8N G-ND 别名：IPP12CNE8NGX IPP12CNE8NGXK SP000096467 | 无铅 | 搜索 |
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | IPx12CNE8N G |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | TO-220-3 |
| 產(chǎn)品變化通告 | Product Discontinuation 11/Dec/2009 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 500 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包裝 | 管件 |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 85V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 67A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 12.9 毫歐 @ 67A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 83µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 64nC @ 10V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 4340pF @ 40V |
| 功率 - 最大值 | 125W |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 封裝/外殼 | TO-220-3 |
| 供應(yīng)商器件封裝 | PG-TO220-3 |
| 其它名稱 | IPP12CNE8NGX IPP12CNE8NGXK SP000096467 |
