數(shù)據(jù)列表 | IPB(I,P)80N06S3L-08 |
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產(chǎn)品相片 | TO-262-3 |
產(chǎn)品變化通告 | Product Discontinuation 22/Jul/2010 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 500 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | OptiMOS™ |
包裝 | 管件 |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
漏源極電壓 (Vdss) | 55V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 80A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 7.9 毫歐 @ 43A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 55µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 134nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 6475pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 105W |
安裝類型 | 通孔 |
封裝/外殼 | TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA |
供應(yīng)商器件封裝 | PG-TO262-3 |
其它名稱 | IPI80N06S3L-08-ND IPI80N06S3L-08IN IPI80N06S3L08X IPI80N06S3L08XK SP000088131 |