IPG20N06S2L-65,IPG20N06S2L-65|Infineon Technologies代理分銷-IPG20N06S2L65原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | IPG20N06S2L-65 |
|---|---|
| 產品相片 | 8-PowerTDFN |
| 標準包裝 | 5,000 |
| 類別 | 分立半導體產品 |
| 家庭 | FET - 陣列 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | 2 個 N 溝道（雙） |
| FET 功能 | 邏輯電平門 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 55V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 20A |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 65 毫歐 @ 15A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 14µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 410pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 43W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | 8-PowerTDFN |
| 供應商器件封裝 | PG-TDSON-8-4（5.15x6.15） |
| 其它名稱 | IPG20N06S2L65ATMA1 SP000613722 |
