數(shù)據(jù)列表 | IPD(F,S,U)H6N03LA G |
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產(chǎn)品相片 | TO-252-3 |
產(chǎn)品變化通告 | Product Discontinuation 07/Mar/2008 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 2,500 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | OptiMOS™ |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 25V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 50A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 6.2 毫歐 @ 50A,10V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 30µA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 19nC @ 5V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 2390pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 71W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 |
供應(yīng)商器件封裝 | P-TO252-3 |
其它名稱 | IPFH6N03LAGXT SP000068589 |