型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IPD50R650CEAUMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | CONSUMER RoHS: Not compliant | 搜索 查看资料 |
IPD50R650CEBTMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
IPD50R650CEBTMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252 RoHS: Not compliant | 搜索 查看资料 |
IPD50R650CEBTMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
IPD50R650CEATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252 RoHS: Not compliant | 搜索 查看资料 |
IPD50R650CEATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252 RoHS: Not compliant | 搜索 查看资料 |
IPD50R650CEATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252 RoHS: Not compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IPD50R650CEAUMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET CONSUMER RoHS: Compliant | 搜索 |
IPD50R650CE [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 500V 6.1A DPAK-2 RoHS: Compliant | 搜索 |
IPD50R650CEBTMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 500V 6.1A DPAK-2 RoHS: Compliant | 搜索 |
IPD50R650CEATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 550V 19A DPAK-2 | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IPD50R650CE [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 500(Min)V 6.1A 3-Pin TO-252 T/R - Bulk (Alt: IPD50R650CE) RoHS: Compliant | 搜索 |
IPD50R650CEAUMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | CONSUMER - Tape and Reel (Alt: IPD50R650CEAUMA1) RoHS: Compliant | 搜索 |
IPD50R650CEBTMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 550V 6.1A 3-Pin DPAK T/R - Bulk (Alt: IPD50R650CEBTMA1) | 搜索 |
IPD50R650CEATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 500(Min)V 6.1A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: SP001117708) RoHS: Compliant | 搜索 |
IPD50R650CEAUMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | CONSUMER (Alt: SP001396796) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IPD50R650CEAUMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 500V 6.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IPD50R650CEAUMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | , MOSFET, N, 500V, 9A, TO-252 RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IPD50R650CE [更多] | Infineon Technologies AG | RoHS: Compliant | pbFree: No | 搜索 |
IPD50R650CEBTMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | RoHS: Compliant | pbFree: No | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
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數(shù)據(jù)列表 | IPD50R650CE |
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產(chǎn)品相片 | TO-252-3 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 2,500 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | CoolMOS™ |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
漏源極電壓 (Vdss) | 500V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 6.1A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 650 毫歐 @ 1.8A, 13V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 150µA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 15nC @ 10V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 342pF @ 100V |
功率 - 最大值 | 47W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 |
供應(yīng)商器件封裝 | PG-TO252-3 |
其它名稱 | IPD50R650CETR SP000992078 |