IPD50P04P4L-11,IPD50P04P4L-11|Infineon Technologies代理分銷-IPD50P04P4L11原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | IPD50P04P4L-11 |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | TO-252-3 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 2,500 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 邏輯電平門 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 40V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 50A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 10.6 毫歐 @ 50A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 85µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 59nC @ 10V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 3900pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 58W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 |
| 供應(yīng)商器件封裝 | PG-TO252-3-313 |
| 其它名稱 | IPD50P04P4L-11TR IPD50P04P4L11 IPD50P04P4L11ATMA1 |
