數(shù)據(jù)列表 | IPx80N04S4-03 |
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產(chǎn)品相片 | TO-263 |
標準包裝 | 1,000 |
類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | OptiMOS™ |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 標準 |
漏源極電壓 (Vdss) | 40V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 80A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 3.3 毫歐 @ 80A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 53µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 66nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 5260pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 94W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB |
供應商器件封裝 | PG-TO263-3-2 |
其它名稱 | IPB80N04S403ATMA1 SP000671628 |