型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IPB70N10S312ATMA1 库存编号:IPB70N10S312ATMA1CT-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 | 948 1起订 | 1+ 10+ 100+ 500+ | ¥46.1 ¥30.14 ¥21.09 ¥18.56 | 6-10天 | 购买 查看资料 |
IPB70N10S312ATMA1 库存编号:IPB70N10S312ATMA1DKR-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 | 948 1起订 | 1+ 10+ 100+ 500+ | ¥46.1 ¥30.14 ¥21.09 ¥18.56 | 6-10天 | 购买 查看资料 |
IPB70N10S312ATMA1 库存编号:IPB70N10S312ATMA1TR-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 | 0 1000起订 | 1000+ 2000+ | ¥15.5 ¥15.17 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
IPB70N10S312ATMA2 库存编号:448-IPB70N10S312ATMA2TR-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET_(75V 120V( | 0 1000起订 | 1000+ 2000+ 3000+ 5000+ 7000+ | ¥17.28 ¥16.84 ¥16.62 ¥16.38 ¥16.24 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IPB70N10S3-12 库存编号:726-IPB70N10S312 | Infineon Technologies AG | MOSFETs N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T | 222 1起订 | 1+ 10+ 100+ 500+ 1000+ 2000+ 5000+ | ¥36.29 ¥28.49 ¥22.7 ¥19.15 ¥16.2 ¥15.37 ¥14.9 | 6-10天 | 购买 |
IPB70N10S312ATMA1 库存编号:726-IPB70N10S312ATMA | Infineon Technologies AG | MOSFETs N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T | 0 1起订 | 6-10天 | 询价 | ||
IPB70N10S312ATMA2 库存编号:726-IPB70N10S312ATM2 | Infineon Technologies AG | MOSFETs MOSFET_(75V 120V( | 0 1000起订 | 1000+ 2000+ 5000+ | ¥16.2 ¥15.49 ¥15.01 | 6-10天 | 询价 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IPB70N10S312ATMA1 库存编号:IPB70N10S312ATMA1 | Infineon Technologies AG | Semiconductors | 870 1起订 | 1+ 10+ 50+ 100+ 500+ 1000+ 2000+ 4000+ | ¥44.01 ¥28.85 ¥28.04 ¥20.13 ¥15.97 ¥15.7 ¥15.57 ¥15.16 | 1-2周 | 购买 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IPB70N10S312ATMA2 库存编号:IPB70N10S312ATMA2 | Infineon Technologies AG | Power MOSFET, N Channel, 100 V, 70 A, 11.3 Milliohms, TO-263, 3 Pins, Surface Mount - Tape and Reel (Alt: IPB70N10S312ATMA2) | 0 1000起订 | 1000+ 2000+ 4000+ 6000+ 8000+ | ¥17.48 ¥16.34 ¥16.25 ¥16.17 ¥16.09 | 1-2周 | 询价 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IPB70N10S312ATMA1 库存编号:87740398 | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | 7000 1000起订 | 1000+ | ¥21.04 | 1-2周 | 购买 |
IPB70N10S312ATMA1 库存编号:70797043 | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | 1000 1000起订 | 1000+ | ¥18.17 | 1-2周 | 购买 |
IPB70N10S312ATMA1 库存编号:69837878 | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | 870 23起订 | 23+ 50+ 100+ 500+ | ¥44.01 ¥28.85 ¥28.04 ¥20.13 | 1-2周 | 购买 |
IPB70N10S312ATMA1 库存编号:85987889 | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | 399 235起订 | 235+ | ¥21.47 | 1-2周 | 购买 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IPB70N10S3-12 | Infineon Technologies AG | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 70A I(D), 100V, 0.0113OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB | 298 1起订 | 1+ 28+ 101+ | ¥68.58 ¥45.72 ¥42.29 | 1-3周 | 购买 |
IPB70N10S3-12 | Infineon Technologies AG | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 70A I(D), 100V, 0.0113OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB | 203 1起订 | 1+ 34+ 112+ | ¥65.84 ¥24.69 ¥23.05 | 1-3周 | 购买 |
IPB70N10S3-12 | Infineon Technologies AG | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 70A I(D), 100V, 0.0113OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB | 103 1起订 | 1+ 13+ 44+ | ¥40.23 ¥32.19 ¥24.14 | 1-3周 | 购买 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IPB70N10S312ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
IPB70N10S312ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
IPB70N10S312ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IPB70N10S3-12 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T RoHS: Compliant | 搜索 |
IPB70N10S312ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IPB70N10S312ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IPB70N10S3-12 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: IPB70N10S3-12) RoHS: Compliant | 搜索 |
IPB70N10S3-12 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: IPB70N10S312ATMA1) RoHS: Compliant | 搜索 |
IPB70N10S3-12 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: IPB70N10S3-12) RoHS: Compliant | 搜索 |
IPB70N10S312XT [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) TO-263 - Tape and Reel (Alt: IPB70N10S312ATMA1) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IPB70N10S312ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPB70N10S312ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
| 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IPB70N10S312ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
IPB70N10S312ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
IPB70N10S312ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
IPB70N10S312ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IPB70N10S312ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N-CH, 100V, 70A, TO263
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IPB70N10S312ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N-CH, 100V, 70A, TO263
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IPB70N10S312ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 100 V 11.3 mOhm 66 nC OptiMOS? Power Mosfet - D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IPB70N10S312ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG |
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型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
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數(shù)據(jù)列表 | IPx70N10S3-12 |
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產(chǎn)品相片 | TO-263 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1,000 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | OptiMOS™ |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
漏源極電壓 (Vdss) | 100V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 70A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 11.3 毫歐 @ 70A,10V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 83µA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 66nC @ 10V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 4355pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 125W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB |
供應(yīng)商器件封裝 | PG-TO263-3 |
產(chǎn)品目錄頁(yè)面 | 1617 (CN2011-ZH PDF) |
其它名稱 | IPB70N10S3-12-ND IPB70N10S3-12INTR IPB70N10S312 SP000261246 |