IPB180N03S4L-H0,IPB180N03S4L-H0|Infineon Technologies代理分銷-IPB180N03S4LH0原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據列表 | IPB180N03S4L-H0 |
|---|---|
| 產品相片 | TO-263-7, D2Pak |
| 標準包裝 | 1,000 |
| 類別 | 分立半導體產品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 邏輯電平門 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 180A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 0.95 毫歐 @ 100A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 200µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 300nC @ 10V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 23000pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 250W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片），TO-263CB |
| 供應商器件封裝 | PG-TO263-7-3 |
| 其它名稱 | IPB180N03S4LH0ATMA1 SP000555050 |
