IPB11N03LA G,IPB11N03LA G|Infineon Technologies代理分銷-IPB11N03LAG原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | IPB11N03LA G |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | TO-263 |
| 產(chǎn)品變化通告 | Product Discontinuation 04/Jun/2009 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1,000 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 邏輯電平門 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 25V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)） | 30A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值） | 11.2 毫歐 @ 30A，10V |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 20µA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 11nC @ 5V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 1358pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 52W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應(yīng)商器件封裝 | PG-TO263-3 |
| 其它名稱 | IPB11N03LAGXT SP000103306 |
