IPB083N10N3 G,IPB083N10N3 G|Infineon Technologies代理分銷-IPB083N10N3G原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | IPx08xN10N3 G |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | TO-263 |
| 標準包裝 | 1,000 |
| 類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 標準 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 100V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 80A |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 8.3 毫歐 @ 73A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 75µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 55nC @ 10V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 3980pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 125W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應商器件封裝 | PG-TO263-2 |
| 其它名稱 | IPB083N10N3 G-ND IPB083N10N3G SP000458812 |
