IPB025N10N3 G E8187,IPB025N10N3 G E8187|Infineon Technologies代理分銷-IPB025N10N3GE8187原裝現(xiàn)貨,PDF下載
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| IPB025N10N3GE8187ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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PDF查詢| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 1,000 |
| 系列 ： | OptiMOS™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點 ： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 100V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 180A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 2.5 毫歐 @ 100A, 10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大） ： | 3.5V @ 275µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 206nC @ 10V |
| 在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ： | 14800pF @ 50V |
| 功率 - 最大 ： | 300W |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | TO-263-7, D²Pak (6 引線+接片), TO-263CB |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | PG-TO263-7 |
| 包裝 ： | 帶卷 (TR) |
