IPB021N06N3 G,IPB021N06N3 G|Infineon Technologies代理分銷-IPB021N06N3G原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | IPx021,24N06N3 G |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | TO-263 |
| 產(chǎn)品變化通告 | Product Discontinuation 26/Jul/2012 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1,000 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 120A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 2.1 毫歐 @ 100A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 196µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 275nC @ 10V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 23000pF @ 30V |
| 功率 - 最大值 | 250W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應(yīng)商器件封裝 | PG-TO263-2 |
| 其它名稱 | IPB021N06N3 G-ND IPB021N06N3 GTR SP000452248 |
