HTNFET-D,HTNFET-D|Honeywell Microelectronics & Precision Sensors代理分銷-HTNFETD原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | HTNFET |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | 8-DIP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | HTMOS™ |
| 包裝 | 散裝 |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 55V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)） | - |
| 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值） | 400 毫歐 @ 100mA，5V |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 100µA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 4.3nC @ 5V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 290pF @ 28V |
| 功率 - 最大值 | 50W |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 封裝/外殼 | 8-CDIP 裸露焊盤(pán) |
| 供應(yīng)商器件封裝 | 8-CDIP-EP |
| 產(chǎn)品目錄頁(yè)面 | 1201 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱 | 342-1078 |
