HN4B101J(TE85L,F,HN4B101J(TE85L,F|Toshiba代理分銷-HN4B101JTE85LF原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 安裝類型 | 表面貼裝 | |
| 寬度 | 1.6mm | |
| 封裝類型 | 2-3L1A | |
| 尺寸 | 2.9 x 1.6 x 1.1mm | |
| 引腳數(shù)目 | 5 | |
| 晶體管類型 | NPN，PNP | |
| 最大功率耗散 | 0.85 W | |
| 最大發(fā)射極-基極電壓 | 7 (NPN) V，-7 (PNP) V | |
| 最大基極-發(fā)射極飽和電壓 | 1.1 (NPN) V，-1.1 (PNP) V | |
| 最大直流集電極電流 | -1 (PNP) A，1.2 (NPN) A | |
| 最大集電極-發(fā)射極電壓 | 30 (NPN) V，-30 (PNP) V | |
| 最大集電極-發(fā)射極飽和電壓 | 0.17 (NPN) V，-0.20 (PNP) V | |
| 最大集電極-基極電壓 | -30 (PNP) V，50 (NPN) V | |
| 最小直流電流增益 | 125 | |
| 最高工作溫度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 2 | |
| 類別 | MOS 柵極驅(qū)動器和開關(guān) | |
| 配置 | 共發(fā)射極 | |
| 長度 | 2.9mm | |
| 高度 | 1.1mm |
