HGTP10N120BN,HGTP10N120BN|Fairchild Semiconductor代理分銷-HGTP10N120BN原裝現(xiàn)貨,PDF下載
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| HGTP10N120BN [更多] | ON Semiconductor | IGBT 1200V 35A 298W TO220AB RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| HGTP10N120BN [更多] | ON Semiconductor | IGBT Transistors 35A 1200V N-Ch RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| HGTP10N120BN [更多] | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail (Alt: HGTP10N120BN) RoHS: Compliant | 搜索 |
| HGTP10N120BN [更多] | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail - Rail/Tube (Alt: HGTP10N120BN) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| HGTP10N120BN [更多] | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 搜索 |
| HGTP10N120BNFS [更多] | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| 查看库存、价格及货期 | |||||||
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | HGT(G,P)10N120BN, HGT1S10N120BNS |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 | High Voltage Switches for Power Processing |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 400 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | IGBT - 單路 |
| 系列 | - |
| 包裝 | 管件 |
| IGBT 類型 | NPT |
| 電壓 - 集射極擊穿（最大值） | 1200V |
| 不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on) | 2.7V @ 15V，10A |
| 電流 - 集電極 (Ic)（最大值） | 35A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 80A |
| 功率 - 最大值 | 298W |
| Switching Energy | 0.32mJ (開), 0.80mJ (關(guān)) |
| 輸入類型 | 標(biāo)準(zhǔn) |
| Gate Charge | 100nC |
| Td (on/off) A 25°C | 23ns/165ns |
| Test Condition | 960V, 10A, 10 歐姆, 15V |
| 反向恢復(fù)時(shí)間 (trr) | - |
| 封裝/外殼 | TO-220-3 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 供應(yīng)商器件封裝 | TO-220AB |
| 其它名稱 | HGTP10N120BN-ND HGTP10N120BNFS |
