數(shù)據(jù)列表 | HGTG5N120BND, HGTP5N120BND |
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產(chǎn)品相片 | TO-247-3 |
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 | High Voltage Switches for Power Processing |
PCN Design/Specification | Plating Material 20/Dec/2007 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 150 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | IGBT - 單路 |
系列 | - |
包裝 | 管件 |
IGBT 類型 | NPT |
電壓 - 集射極擊穿(最大值) | 1200V |
不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on) | 2.7V @ 15V,5A |
電流 - 集電極 (Ic)(最大值) | 21A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 40A |
功率 - 最大值 | 167W |
Switching Energy | 450µJ (開), 390µJ (關(guān)) |
輸入類型 | 標(biāo)準(zhǔn) |
Gate Charge | 53nC |
Td (on/off) A 25°C | 22ns/160ns |
Test Condition | 960V, 5A, 25 歐姆, 15V |
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr) | 30ns |
封裝/外殼 | TO-247-3 |
安裝類型 | 通孔 |
供應(yīng)商器件封裝 | TO-247 |
其它名稱 | HGTG5N120BND-ND HGTG5N120BNDFS |