數(shù)據(jù)列表 | HGTG30N60B3 |
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產(chǎn)品相片 | TO-247-3 |
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 | High Voltage Switches for Power Processing |
PCN Design/Specification | Plating Material 20/Dec/2007 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 150 |
類(lèi)別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | IGBT - 單路 |
系列 | - |
包裝 | 管件 |
IGBT 類(lèi)型 | - |
電壓 - 集射極擊穿(最大值) | 600V |
不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on) | 1.9V @ 15V,30A |
電流 - 集電極 (Ic)(最大值) | 60A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 220A |
功率 - 最大值 | 208W |
Switching Energy | 500µJ (開(kāi)), 680µJ (關(guān)) |
輸入類(lèi)型 | 標(biāo)準(zhǔn) |
Gate Charge | 170nC |
Td (on/off) A 25°C | 36ns/137ns |
Test Condition | - |
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr) | - |
封裝/外殼 | TO-247-3 |
安裝類(lèi)型 | 通孔 |
供應(yīng)商器件封裝 | TO-247 |
其它名稱(chēng) | HGTG30N60B3-ND HGTG30N60B3FS |