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HAT2165N-EL-E,HAT2165N-EL-E|Renesas Electronics America代理分銷-HAT2165NELE原裝現(xiàn)貨,PDF下載
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HAT2165N-EL-E|Renesas Electronics America
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HAT2165N-EL-E
制造商型號: HAT2165N-EL-E
制造商: Renesas Electronics America
描述: MOSFET N-CH 30V 55A LFPAKI
技術參考: Rohs PDF查詢
庫存狀態(tài): 實時庫存查詢  所在地:深圳全新原裝現(xiàn)貨
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產(chǎn)品信息
數(shù)據(jù)列表 HAT216xN News Release
產(chǎn)品相片 8-PowerSOIC; PTSP0008DC-A
標準包裝  2,500
類別分立半導體產(chǎn)品
家庭FET - 單
系列-
包裝  帶卷 (TR)  
FET 類型MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時)55A (Ta)
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值)3.6 毫歐 @ 27.5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)-
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)33nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)5180pF @ 10V
功率 - 最大值30W
安裝類型表面貼裝
封裝/外殼8-PowerSOIC(0.156",3.95mm)
供應商器件封裝8-LFPAK-iV

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