GA08JT17-247,GA08JT17-247|GeneSiC Semiconductor代理分銷-GA08JT17247原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | GA08JT17-247 |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | GA08JT17-247 |
| 特色產(chǎn)品 | Silicon Carbide Transistor |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 30 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | * |
| 包裝 | 管件 |
| FET 類型 | SiCFET N 通道，碳化硅 |
| FET 功能 | 超級(jí)結(jié) |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 1700V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)） | 8A （Tc） （90°C） |
| 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值） | 250 毫歐 @ 8A |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | - |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | - |
| 功率 - 最大值 | 16W |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 封裝/外殼 | TO-247-3 |
| 供應(yīng)商器件封裝 | TO-247AB |
| 其它名稱 | 1242-1135 GA08JT17247 |
