典型關(guān)斷延遲時間 | 19(N 通道)ns,35(P 通道)ns | |
典型接通延遲時間 | 11(P 通道)ns,7(N 通道)ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 11 nC @ -10 V(P 溝道),5 nC @ 10 V(N 溝道) | |
典型輸入電容值@Vds | 180 pF V @ 10 V(N 通道),510 pF V @ -10 V(P 通道) | |
安裝類型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 4.4mm | |
封裝類型 | SOP 8 | |
尺寸 | 5 x 4.4 x 1.5mm | |
引腳數(shù)目 | 8 | |
最大功率耗散 | 1.7 W | |
最大柵源電壓 | ±20 V | |
最大漏源電壓 | 30(N 通道)V,-30(P 通道)V | |
最大漏源電阻值 | 147(P 通道)mΩ,150(N 通道)mΩ | |
最大連續(xù)漏極電流 | 3.5(N 通道)A,-4(P 通道)A | |
最高工作溫度 | +150 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 | |
類別 | MOSFET 驅(qū)動器 | |
通道模式 | 增強 | |
通道類型 | N,P | |
配置 | 雙、雙漏極 | |
長度 | 5mm | |
高度 | 1.5mm |