數(shù)據(jù)列表 | FSB649 |
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產(chǎn)品相片 | SOT-23-3 |
PCN Design/Specification | Mold Compound 08/April/2008 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 3,000 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | 晶體管(BJT) - 單路 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
晶體管類型 | NPN |
電流 - 集電極 (Ic)(最大值) | 3A |
電壓 - 集射極擊穿(最大值) | 25V |
不同?Ib、Ic 時的?Vce 飽和值(最大值) | 600mV @ 300mA,3A |
電流 - 集電極截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同?Ic、Vce?時的 DC 電流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 1A,2V |
功率 - 最大值 | 500mW |
頻率 - 躍遷 | 150MHz |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供應(yīng)商器件封裝 | 3-SSOT |
其它名稱 | FSB649-ND FSB649TR |