FQU3P50TU,FQU3P50TU|Fairchild Semiconductor代理分銷-FQU3P50TU原裝現(xiàn)貨,PDF下載
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 | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET P-CH 500V 2.1A IPAK 详细描述：通孔 P 沟道 500V 2.1A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） I-Pak 型号：FQU3P50TU 仓库库存编号：FQU3P50TU-ND | 无铅 | 搜索 |
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | FQD3P50, FQU3P50 I-PAK Tube Packing Data |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | DPAK_369D?01 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 5,040 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | QFET™ |
| 包裝 | 管件 |
| FET 類型 | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 500V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)） | 2.1A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值） | 4.9 歐姆 @ 1.05A，10V |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 23nC @ 10V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 660pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 2.5W |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 封裝/外殼 | TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA |
| 供應(yīng)商器件封裝 | I-Pak |
