FQT1N80TF_WS,FQT1N80TF_WS|Fairchild Semiconductor代理分銷(xiāo)-FQT1N80TFWS原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢(xún)| 數(shù)據(jù)列表 | FQT1N80 |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | SOT223-3L |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 4,000 |
| 類(lèi)別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | QFET™ |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類(lèi)型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 800V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)） | 200mA （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值） | 20 歐姆 @ 100mA，10V |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 7.2nC @ 10V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 195pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 2.1W |
| 安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供應(yīng)商器件封裝 | SOT-223-3 |
| 產(chǎn)品目錄頁(yè)面 | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱(chēng) | FQT1N80TF_WSTR FQT1N80TFWS |
