數(shù)據(jù)列表 | FQPF33N10L |
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產品相片 | TO-220AB |
產品培訓模塊 | High Voltage Switches for Power Processing |
標準包裝 | 50 |
類別 | 分立半導體產品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | QFET™ |
包裝 | 管件 |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 100V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 18A |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 52 毫歐 @ 9A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 40nC @ 5V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 1630pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 41W |
安裝類型 | 通孔 |
封裝/外殼 | TO-220-3 整包 |
供應商器件封裝 | TO-220F |
其它名稱 | FQPF33N10L-ND FQPF33N10LFS |