數(shù)據(jù)列表 | FQB32N20C, FQI32N20C |
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標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 50 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | QFET™ |
包裝 | 管件 |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
漏源極電壓 (Vdss) | 200V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 28A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 82 毫歐 @ 14A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 110nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 2220pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 3.13W |
安裝類型 | 通孔 |
封裝/外殼 | TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA |
供應(yīng)商器件封裝 | I2PAK |