FQI10N20CTU,FQI10N20CTU|Fairchild Semiconductor代理分銷-FQI10N20CTU原裝現貨,PDF下載
PDF查詢| 數據列表 | FQB10N20C, FQI10N20C |
|---|---|
| 標準包裝 | 1,000 |
| 類別 | 分立半導體產品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | QFET™ |
| 包裝 | 管件 |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 標準 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 200V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 9.5A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 360 毫歐 @ 4.75A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 26nC @ 10V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 510pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 72W |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 封裝/外殼 | TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA |
| 供應商器件封裝 | I2PAK |
