型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
FQD7N10LTF | Fairchild Semiconductor Corporation | 5.8 A, 100 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 | 436 1起订 | 1+ 32+ 125+ | ¥14.7 ¥8.82 ¥7.35 | 1-3周 | 购买 |
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FQD7N10LTF [更多] | ON Semiconductor | MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level RoHS: Compliant | 搜索 |
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數(shù)據(jù)列表 | FQD7N10L, FQU7N10L D-PAK Tape and Reel Data |
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產(chǎn)品相片 | TO-263 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 2,000 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | QFET™ |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 100V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 5.8A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 350 毫歐 @ 2.9A,10V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 6nC @ 5V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 290pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 2.5W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 |
供應(yīng)商器件封裝 | D-Pak |