數(shù)據(jù)列表 | FQD2P40, FQU2P40 |
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產(chǎn)品相片 | TO-263 |
標準包裝 | 2,500 |
類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | QFET™ |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 標準 |
漏源極電壓 (Vdss) | 400V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 1.56A |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 6.5 歐姆 @ 780mA,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 13nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 350pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 2.5W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 |
供應商器件封裝 | TO-252,(D-Pak) |
其它名稱 | FQD2P40TM-ND FQD2P40TMTR |