FQD2N60CTF,FQD2N60CTF|Fairchild Semiconductor代理分銷-FQD2N60CTF原裝現(xiàn)貨,PDF下載
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| FQD2N60CTF [更多] | ON Semiconductor | MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS: Compliant | 搜索 |
| FQD2N60CTF_F080 [更多] | ON Semiconductor | MOSFET Trans MOS N-Ch 600V 1.9A 3-Pin 2+Tab RoHS: Compliant | 搜索 |
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| FQD2N60CTF [更多] | Fairchild Semiconductor Corporation |
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PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | FQD2N60C, FQU2N60C D-PAK Tape and Reel Data |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | TO-263 |
| PCN Design/Specification | Passivation Material 14/May/2008 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 2,000 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | QFET™ |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 600V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)） | 1.9A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值） | 4.7 歐姆 @ 950mA，10V |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 235pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 2.5W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 |
| 供應(yīng)商器件封裝 | D-Pak |
