FQB50N06T,FQB50N06T|Fairchild Semiconductor代理分銷-FQB50N06T原裝現(xiàn)貨,PDF下載
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| FQB50N06TM [更多] | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| FQB50N06TM [更多] | ON Semiconductor | MOSFET 60V N-Channel QFET RoHS: Compliant | 搜索 |
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| FQB50N06TM [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: FQB50N06TM) RoHS: Compliant | 搜索 |
| FQB50N06TM [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: FQB50N06TM) RoHS: Compliant | 搜索 |
| FQB50N06TM [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: FQB50N06TM) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| FQB50N06TM [更多] | ON Semiconductor | QF 60V 22MOHM D2PAK
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| FQB50N06TM [更多] | ON Semiconductor | Single N-Channel 60 V 0.022 Ohm 41 nC 3.75 W DMOS SMT Mosfet - TO-263-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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| FQB50N06TM [更多] | Fairchild Semiconductor Corporation |
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PDF查詢| 典型關斷延遲時間 | 60 ns | |
| 典型接通延遲時間 | 15 ns | |
| 典型柵極電荷@Vgs | 31 nC V @ 10 | |
| 典型輸入電容值@Vds | 1180 pF V @ 25 | |
| 安裝類型 | 表面貼裝 | |
| 寬度 | 9.65mm | |
| 封裝類型 | D2PAK | |
| 尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm | |
| 引腳數(shù)目 | 3 | |
| 最低工作溫度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 3750 mW | |
| 最大柵源電壓 | ±25 V | |
| 最大漏源電壓 | 60 V | |
| 最大漏源電阻值 | 0.022 Ω | |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 50 A | |
| 最高工作溫度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 | |
| 類別 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增強 | |
| 通道類型 | N | |
| 配置 | 單 | |
| 長度 | 10.67mm | |
| 高度 | 4.83mm |
