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場效應(yīng)管 MOSFET N D2-PAK
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晶體管極性:
N溝道
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電流, Id 連續(xù):
50A
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漏源電壓, Vds:
60V
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在電阻RDS（上）:
22mohm
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電壓 @ Rds測量:
10V
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閾值電壓, Vgs th 典型值:
4V
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功耗, Pd:
120W
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工作溫度最小值:
-55°C
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工作溫度最高值:
175°C
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封裝類型:
TO-263
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針腳數(shù):
3
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SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):
No SVHC (19-Dec-2012)
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SMD標(biāo)號:
FQB50N06
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功耗(于1平方英寸PCB):
3.75W
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功耗, Pd:
120W
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功耗, Pd:
120W
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封裝/箱盒:
D2-PAK
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封裝類型, 其它:
D2-PAK
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工作溫度范圍:
-55°C 至 +175°C
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漏極電流, Id 最大值:
50A
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電壓 Vgs @ Rds on 測量:
10V
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電壓, Vds:
60V
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電壓, Vds 典型值:
60V
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電壓, Vgs 最高:
25V
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電流, Idm 脈沖:
200A
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閾值電壓, Vgs th 最高:
4V
產(chǎn)地：
KR
Korea (Republic of)
手機(jī)網(wǎng)站相關(guān)詳細(xì)信息：
FQB50N06
旗下站點
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