FJNS3207RBU,FJNS3207RBU|Fairchild Semiconductor代理分銷-FJNS3207RBU原裝現(xiàn)貨,PDF下載
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
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| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Fairchild/ON Semiconductor TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S 详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92S 型号：FJNS3207RBU 仓库库存编号：FJNS3207RBU-ND | 无铅 | 搜索 |
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | FJNS3207R |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | TO-92S Pkg |
| 標準包裝 | 10,000 |
| 類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
| 家庭 | 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 |
| 系列 | - |
| 包裝 | 散裝 |
| 晶體管類型 | NPN - 預偏壓 |
| 電流 - 集電極 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 電壓 - 集射極擊穿（最大值） | 50V |
| 電阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 22k |
| 電阻器 - 發(fā)射極基底 (R2) (Ω) | 47k |
| 不同?Ic、Vce?時的 DC 電流增益 (hFE)（最小值） | 68 @ 5mA，5V |
| 不同?Ib、Ic 時的?Vce 飽和值（最大值） | 300mV @ 500µA，10mA |
| 電流 - 集電極截止（最大值） | - |
| 頻率 - 躍遷 | 250MHz |
| 功率 - 最大值 | 300mW |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 封裝/外殼 | TO-226-3，TO-92-3 短體 |
| 供應商器件封裝 | TO-92S |
