數(shù)據(jù)列表 | FJBE2150D |
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標準包裝 | 50 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | 晶體管(BJT) - 單路 |
系列 | ESBC™ |
包裝 | 管件 |
晶體管類型 | NPN |
電流 - 集電極 (Ic)(最大值) | 2A |
電壓 - 集射極擊穿(最大值) | 800V |
不同?Ib、Ic 時的?Vce 飽和值(最大值) | 250mV @ 330mA, 1A |
電流 - 集電極截止(最大值) | 100µA |
不同?Ic、Vce?時的 DC 電流增益 (hFE)(最小值) | 20 @ 400mA,3V |
功率 - 最大值 | 110W |
頻率 - 躍遷 | 5MHz |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB |
供應(yīng)商器件封裝 | TO-263-2 |