數(shù)據(jù)列表 | FGD3N60LSDTM |
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產(chǎn)品相片 | TO-263 |
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 | High Voltage Switches for Power Processing |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 2,500 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | IGBT - 單路 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
IGBT 類型 | - |
電壓 - 集射極擊穿(最大值) | 600V |
不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on) | 1.5V @ 10V,3A |
電流 - 集電極 (Ic)(最大值) | 6A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 25A |
功率 - 最大值 | 40W |
Switching Energy | 250µJ (開), 1mJ (關(guān)) |
輸入類型 | 標(biāo)準(zhǔn) |
Gate Charge | 12.5nC |
Td (on/off) A 25°C | 40ns/600ns |
Test Condition | 480V, 3A, 470 歐姆, 10V |
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr) | 234ns |
封裝/外殼 | TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
供應(yīng)商器件封裝 | D-Pak |
產(chǎn)品目錄頁面 | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
其它名稱 | FGD3N60LSDTM-ND FGD3N60LSDTMTR |