FGB30N6S2DT,FGB30N6S2DT|Fairchild Semiconductor代理分銷-FGB30N6S2DT原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | FG(H/P/B)30N6S2D |
|---|---|
| 產品相片 | TO-263 |
| 標準包裝 | 800 |
| 類別 | 分立半導體產品 |
| 家庭 | IGBT - 單路 |
| 系列 | - |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| IGBT 類型 | - |
| 電壓 - 集射極擊穿（最大值） | 600V |
| 不同?Vge、Ic 時的?Vce(on) | 2.5V @ 15V，12A |
| 電流 - 集電極 (Ic)（最大值） | 45A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 108A |
| 功率 - 最大值 | 167W |
| Switching Energy | 55µJ (開), 110µJ (關) |
| 輸入類型 | 標準 |
| Gate Charge | 23nC |
| Td (on/off) A 25°C | 6ns/40ns |
| Test Condition | 390V, 12A, 10 歐姆, 15V |
| 反向恢復時間 (trr) | 35ns |
| 封裝/外殼 | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 供應商器件封裝 | TO-263AB |
| 其它名稱 | FGB30N6S2DT_NL FGB30N6S2DT_NL-ND |
