典型關斷延遲時間 | 8 ns | |
典型接通延遲時間 | 6(N 通道)ns, 6(P 通道)ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 1 nC @ 4.5 V(P 溝道),8 nC @ 4.5 V(N 溝道) | |
典型輸入電容值@Vds | 100 pF @ 10 V(P 溝道),60 pF @ 10 V(N 溝道) | |
安裝類型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 1.2mm | |
封裝類型 | SC-89,SOT-563F | |
尺寸 | 1.6 x 1.2 x 0.5mm | |
引腳數(shù)目 | 6 | |
最低工作溫度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 625 mW | |
最大柵源電壓 | ±12(N 通道)V,±8(P 通道)V | |
最大漏源電壓 | 20 V | |
最大漏源電阻值 | 0.7(N 通道)Ω,1.2(P 通道)Ω | |
最大連續(xù)漏極電流 | 0.35(P 通道)A,0.6(N 通道)A | |
最高工作溫度 | +150 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 | |
類別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強 | |
通道類型 | N,P | |
配置 | 雙 | |
長度 | 1.6mm | |
高度 | 0.5mm |