數(shù)據(jù)列表 | FDV303N |
---|---|
產(chǎn)品相片 | SOT-23-3 |
產(chǎn)品培訓模塊 | High Voltage Switches for Power Processing |
PCN Design/Specification | Mold Compound 12/Dec/2007 |
標準包裝 | 3,000 |
類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 25V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 680mA (Ta) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 450 毫歐 @ 500mA,4.5V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 2.3nC @ 4.5V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 50pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 350mW |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供應商器件封裝 | SOT-23 |
產(chǎn)品目錄頁面 | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
其它名稱 | FDV303NTR |