數(shù)據(jù)列表 | FDD8586, FDU8586 |
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產(chǎn)品相片 | DPAK_369D?01 |
PCN Obsolescence | Multiple Devices 03/Dec/2009 |
標準包裝 | 75 |
類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | PowerTrench® |
包裝 | 管件 |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 20V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 35A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 5.5 毫歐 @ 35A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 48nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 2480pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 77W |
安裝類型 | 通孔 |
封裝/外殼 | TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA |
供應商器件封裝 | TO-251AA |