產品相片 | DPAK_369D?01 |
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標準包裝 | 70 |
類別 | 分立半導體產品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | UniFET-II™ |
包裝 | 管件 |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 標準 |
漏源極電壓 (Vdss) | 600V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 5.5A |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 1.25 歐姆 @ 2.75A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 17nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 730pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 90W |
安裝類型 | 通孔 |
封裝/外殼 | TO-251-3 長引線,IPak,TO-251AB |
供應商器件封裝 | TO-251 |