典型關(guān)斷延遲時間 | 260(P 通道)ns,42(N 通道)ns | |
典型接通延遲時間 | 6(N 通道)ns,8(P 通道)ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 19.8 nC @ 4.5 V(N 溝道),20 nC @ 4.5 V(P 溝道) | |
典型輸入電容值@Vds | 1130 pF @ 10 V(P 溝道),900 pF @ 10 V(N 溝道) | |
安裝類型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 4mm | |
封裝類型 | SOIC N | |
尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
引腳數(shù)目 | 8 | |
最低工作溫度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 2000 mW | |
最大柵源電壓 | 8(N 通道)V,-8(P 通道)V | |
最大漏源電壓 | 20(P 通道)V,30(N 通道)V | |
最大漏源電阻值 | 0.03(N 通道)Ω,0.055(P 通道)Ω | |
最大連續(xù)漏極電流 | 4(P 通道)A,5.5(N 通道)A | |
最高工作溫度 | +150 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 | |
類別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強 | |
通道類型 | N,P | |
配置 | 雙、雙漏極 | |
長度 | 5mm | |
高度 | 1.5mm |